Muito se tem falado sobre as limitações de largura de banda nos CPU/APU atuais de PCs e laptops, mas uma situação semelhante acontece no segmento de supercomputadores, onde a largura de banda limitada das memórias DRAMtradicionais (DDR) é um dos principais gargalos que limitam o seu desempenho.
Fabricantes de chips de memória, como Hynix, e Micron acreditam ter achado a solução para esses problemas com seus chips de memória multi-camada"3D" Hybrid Memory Cube (HMC), são memórias compostas de múltiplas camadasDRAM sobrepostas verticalmente umas sobre as outras e interligadas por um controlador VIA (Vertical Interconnect Access).
Estima-se que os primeiros módulos de memória constituídos por chips Hybrid Memory Cube com processos de fabricação FinFET (3D ) terão uma capacidade de 2 a 4 GB e oferecerão uma largura de banda bidirecional de 160 GB/s (cerca de 15 vezes maior do que os 11GB/s da DDR3 e oito vezes superior do que os 20 GB/s da DDR4).
Tudo isso devido a sua otimização de processos de fabricação 3D (FinFET) Hybrid Memory Cube, que vai permitir a construção de módulos de memória com um consumo de energia 70% menor do que os atuais módulos DDR3, pois sua natureza vertical exige menos linhas de cobre nos circuitos dos módulos de memória baseados nela, além de exigir uma frequência de funcionamento mais baixa.
Inicialmente os módulos de memória baseados no Hybrid Memory Cube estarão disponíveis em duas interfaces físicas que ligam o processador do sistema host: de curto alcance (com uma largura de banda até 28GB/s por pino) e ultra-curto alcance, o primeiro muito semelhante as interfaces usadas em placas-mãe atuais (módulos de memória localizados até 25 centímetros de distância da CPU).
Se espera que os módulos Hybrid Memory Cube com interface de curto alcance estejam disponíveis, entre julho e dezembro deste ano e terão como alvos equipamentos baseados em FPGAs, ASICs e ASSPs.
Os módulos HMC com interface de ultra-curto alcance estarão disponíveis no próximo ano.
Fonte: Chw
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